熱拡散/熱伝導率(LFA/GHP/HFM)

熱拡散率と熱伝導率は、材料や構成部品の熱伝達特性を表わす最も重要な熱物性パラメーターです。熱拡散率のような熱物性の正確な測定には、迅速で多様な正確な絶対手法としてレーザーフラッシュ法 (LFA)。NETZSCH は、全ての材料及び温度範囲をカバーする3モデルの LFA を供給しています。熱伝導率はもまた重要な熱物性で、断熱材には平板法によるヒートフローメーター (HFM)で測定され、絶縁性耐火材には熱線法 (TCT)で測定されます。LFA-GHP-HFM

LFA 467 HyperFlash® 卓上型キセノンフラッシュアナライザー

LFA 467 HyperFlash®
卓上型キセノンフラッシュアナライザー

【特長】-100~500℃までの熱拡散・熱伝導率評価を可能とし、最少パルス幅20μsecでの照射により、従来では測定不可能であった高熱伝導薄膜サンプルにも容易に可能。特殊ホルダーにより異方性、積層材料、液体、ファイバーなどサンプルを可能にします。

【仕様】温度範囲:-100~500℃
パルス幅:20~1200μsec
サンプルチェンジャー:最大16検体

LFA 467 HT HyperFlash® 卓上型キセノンフラッシュアナライザー

LFA 467 HT HyperFlash®
卓上型キセノンフラッシュアナライザー

【特長】RT~1250℃までの熱拡散・熱伝導率評価を可能とし、最少パルス幅20μsecでの照射により、従来では測定不可能であった高熱伝導薄膜サンプルにも高温域の測定に対応します。真空置換にも対応し、サンプルを酸化させずに正確な評価が可能です。

【仕様】温度範囲:RT~1250℃
パルス幅:20~1200μsec
サンプルチェンジャー:最大4検体
到達真空度:10-4mbar

LFA 457 MicroFlash® 卓上型レーザーフラッシュアナライザー

LFA 457 MicroFlash®
卓上型レーザーフラッシュアナライザー

【特長】-125~1100℃までの熱拡散・熱伝導率評価を可能とし、卓上設計でサンプルチェンジャー搭載。最大φ25.4mmの他、特殊ホルダーにより異方性、積層材料、液体、ファイバー、溶融金属・溶融ガラスなどサンプル評価を可能にします。

【仕様】温度範囲:-125~1100℃
パルス幅:0.33msec
サンプルチェンジャー:最大3検体

LFA 427 レーザーフラッシュアナライザー

LFA 427
レーザーフラッシュアナライザー

【特長】-120~2800℃までの熱拡散・熱伝導率評価を可能とし、パルス幅0.3~1.2msecの間で0.1msec毎の選択設定が可能です。最高10-5mbarの高真空に耐えうる構造となっており、高純度ガス雰囲気下において高精度な真空置換と真空下での測定が可能です。

【仕様】温度範囲:-120~2800℃
パルス幅:0.3~1.2msec
真空度:最高10-5mbar

HFM 446 Lambda Series 定常法熱伝導率測定装置

HFM 446 Lambda Series
定常法熱伝導率測定装置

【特長】断熱材等の熱伝導率を計測する定常型熱伝導率測定装置。-20~90℃までの熱伝導率評価を可能とし、室温の測定は、わずか15分以下で評価可能です。

【仕様】温度範囲:-20~90℃
熱伝導率測定範囲:0.002~2W/(m・K)
サンプルサイズ:203 mm x 203 mm (Small)、305 mm x 305 mm (Medium)

GHP 456 Titan® 保護熱板法(GHP法)熱伝導率測定装置

GHP 456 Titan®
保護熱板法(GHP法)熱伝導率測定装置

【特長】断熱材等の熱伝導率を計測する絶対型熱伝導率測定装置。-160~600℃までの熱伝導率評価を可能とし、測定の真空度調整機構により、真空断熱材などの真空度依存による熱伝導率測定も可能です。

【仕様】温度範囲:-160~600℃
熱伝導率測定範囲:0.0001~2W/(m・K)
サンプルサイズ:300×300×100mm×2
到達真空度:0.01Pa

NanoTR/PicoTR 薄膜熱物性測定装置

NanoTR/PicoTR
薄膜熱物性測定装置

【特長】厚さ数10nm~数10μmの金属薄膜や酸化物薄膜の熱物性値を高精度に測定する世界初の薄膜熱物性測定装置です。裏面加熱/表面測温方式(RF方式)と表面加熱/表面測温方式(FF方式)、両方の方式を搭載しており、基板の種類を問わず測定することが可能です。

【仕様】温度範囲(NanoTR):RT~300℃
測定試料膜厚(NanoTR):金属 1μm~20μm、
セラミック 300nm~5μm、有機 30nm~2μmなど
温度範囲(PicoTR):RT~500℃
測定試料膜厚(PicoTR):金属 100nm~900nm、
セラミック 10nm~300nm、有機 10nm~100nmなど

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